창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-RLC35R200FTE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | RLC35R200FTE | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | N A | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | RLC35R200FTE | |
관련 링크 | RLC35R2, RLC35R200FTE 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
C1812C330FHGACTU | 33pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C330FHGACTU.pdf | ||
F751C227KRC | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2824 (7260 Metric) 200 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | F751C227KRC.pdf | ||
5MTP 375 | FUSE GLASS 375MA 250VAC 5X20MM | 5MTP 375.pdf | ||
SIT8209AC-82-33E-200.000000T | OSC XO 3.3V 200MHZ OE | SIT8209AC-82-33E-200.000000T.pdf | ||
SI3438DV-T1-E3 | MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP | SI3438DV-T1-E3.pdf | ||
K6R1016C1D-JC10T00 | K6R1016C1D-JC10T00 Samsung SRAM1M(64k16Bit | K6R1016C1D-JC10T00.pdf | ||
NT1D-DC12V | NT1D-DC12V MATSUSHITA RELAY | NT1D-DC12V.pdf | ||
TC35102F-BR.DRY | TC35102F-BR.DRY TOS QFP82 | TC35102F-BR.DRY.pdf | ||
IB4812D | IB4812D XP DIP14 | IB4812D.pdf | ||
EPM3064A-44 | EPM3064A-44 ALTERA QFP | EPM3064A-44.pdf | ||
HN2596 | HN2596 HN TO-220263 | HN2596.pdf | ||
ISD1720S. | ISD1720S. ISD SMD or Through Hole | ISD1720S..pdf |