창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-ASM706ESAF-T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | ASM706ESAF-T | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | ASM706ESAF-T | |
| 관련 링크 | ASM706E, ASM706ESAF-T 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | C2012C0G2W562J125AA | 5600pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012C0G2W562J125AA.pdf | |
![]() | FA-128 30.0000MD30Z-K5 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-128 30.0000MD30Z-K5.pdf | |
![]() | VLS2012ET-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 336 mOhm Max Nonstandard | VLS2012ET-4R7M.pdf | |
![]() | SRR0745A-820M | 82µH Shielded Inductor 780mA 400 mOhm Max Nonstandard | SRR0745A-820M.pdf | |
![]() | RG2012P-1052-D-T5 | RES SMD 10.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-1052-D-T5.pdf | |
![]() | MS46SR-20-700-Q1-10X-10R-NC-AP | SYSTEM | MS46SR-20-700-Q1-10X-10R-NC-AP.pdf | |
![]() | K4N51163PC-BG75 | K4N51163PC-BG75 SAMSUNG BGA | K4N51163PC-BG75.pdf | |
![]() | FBR12WD12-P | FBR12WD12-P FUJITSU/ DIP | FBR12WD12-P.pdf | |
![]() | HT711-20-M4-E4 | HT711-20-M4-E4 ORIGINAL SMD or Through Hole | HT711-20-M4-E4.pdf | |
![]() | DS140259BC | DS140259BC NS SOP16 | DS140259BC.pdf | |
![]() | 15UH K(NLCV32T150KPF) | 15UH K(NLCV32T150KPF) TDK 3225 | 15UH K(NLCV32T150KPF).pdf | |
![]() | AM29F016D-90SC/T | AM29F016D-90SC/T AMD SOP | AM29F016D-90SC/T.pdf |