창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK5033DPD-00#J2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK5033DPD | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | MP-3A | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RJK5033DPD-00#J2-ND RJK5033DPD-00#J2TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK5033DPD-00#J2 | |
관련 링크 | RJK5033DP, RJK5033DPD-00#J2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
RPC0805JT22R0 | RES SMD 22 OHM 5% 1/4W 0805 | RPC0805JT22R0.pdf | ||
ERJ-S1DF2151U | RES SMD 2.15K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF2151U.pdf | ||
RC1218DK-0731K6L | RES SMD 31.6K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0731K6L.pdf | ||
RM30TNA-H | RM30TNA-H MITSUBISHI SMD or Through Hole | RM30TNA-H.pdf | ||
3-1775155-0 | 3-1775155-0 TYCO SMD or Through Hole | 3-1775155-0.pdf | ||
XCV400BG560AFP-5C | XCV400BG560AFP-5C XILINX BGA560 | XCV400BG560AFP-5C.pdf | ||
LC7258 | LC7258 SANYO DIP42 | LC7258.pdf | ||
S52C | S52C AUK SMC | S52C.pdf | ||
RD12S-T1-A | RD12S-T1-A NEC SMD or Through Hole | RD12S-T1-A.pdf | ||
905197REVB | 905197REVB ORIGINAL SMD or Through Hole | 905197REVB.pdf | ||
GRM44-1X7R474K50 | GRM44-1X7R474K50 MURATA SMD | GRM44-1X7R474K50.pdf | ||
17539 10 B1 | 17539 10 B1 ORIGINAL NEW | 17539 10 B1.pdf |