창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK4006DPD-00#J2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK4006DPD-00#J2 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | MP-3A | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK4006DPD-00#J2 | |
관련 링크 | RJK4006DP, RJK4006DPD-00#J2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
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![]() | BK/AGC-7-1/2NX | FUSE GLASS 7.5A 250VAC 3AB 3AG | BK/AGC-7-1/2NX.pdf | |
![]() | NLCV32T-R15M-EFR | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 28.8 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLCV32T-R15M-EFR.pdf | |
![]() | CRCW121069R8FKTA | RES SMD 69.8 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121069R8FKTA.pdf | |
![]() | RG2012N-1913-W-T1 | RES SMD 191K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1913-W-T1.pdf | |
![]() | 45JR10E | RES 0.1 OHM 5W 5% AXIAL | 45JR10E.pdf | |
![]() | X5045S-2.7 | X5045S-2.7 XICOR/Inters SMD | X5045S-2.7.pdf | |
![]() | MRF436 | MRF436 MOT SMD or Through Hole | MRF436.pdf | |
![]() | DTC115EU TEL:82766440 | DTC115EU TEL:82766440 ROHM SMD or Through Hole | DTC115EU TEL:82766440.pdf | |
![]() | AD50191-1 | AD50191-1 AD SMD or Through Hole | AD50191-1.pdf | |
![]() | AN272U | AN272U Panasonic DIP | AN272U.pdf | |
![]() | K9F8G08UOA-PCB0 | K9F8G08UOA-PCB0 SAMSUNG TSOP48 | K9F8G08UOA-PCB0.pdf |