창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK2508DPK-00#T0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK2508DPK Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK2508DPK-00#T0 | |
관련 링크 | RJK2508DP, RJK2508DPK-00#T0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
AD664BN-UNI | AD664BN-UNI AD DIP | AD664BN-UNI.pdf | ||
HM628128DLP5SL | HM628128DLP5SL HITACHI SMD or Through Hole | HM628128DLP5SL.pdf | ||
BUV48CI | BUV48CI ISC TO-3PML | BUV48CI.pdf | ||
STV8258DSX-3 | STV8258DSX-3 ST QFP | STV8258DSX-3.pdf | ||
S-8352C3.3UA | S-8352C3.3UA SEIKO/ SOT89 | S-8352C3.3UA.pdf | ||
BC239C | BC239C FAIRCHILD TO-92 | BC239C.pdf | ||
CRG4G560J | CRG4G560J NA SMD | CRG4G560J.pdf | ||
SN-J7 | SN-J7 UBON SMD or Through Hole | SN-J7.pdf | ||
GF056-50S-LSS | GF056-50S-LSS LS SMD or Through Hole | GF056-50S-LSS.pdf | ||
DTA114YK SOT23-54 | DTA114YK SOT23-54 ROHM SMD or Through Hole | DTA114YK SOT23-54.pdf | ||
STC62WV25616ECG70 | STC62WV25616ECG70 STC TSOP-44 | STC62WV25616ECG70.pdf | ||
2SB58 | 2SB58 NEC CAN | 2SB58.pdf |