창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60M1DPE-00#J3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60M1DPE | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 8A | |
전력 - 최대 | 52W | |
스위칭 에너지 | 80µJ(켜기), 90µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 20.5nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/55ns | |
테스트 조건 | 300V, 8A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 100ns | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RJH60M1DPE-00#J3TR RJH60M1DPE00J3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60M1DPE-00#J3 | |
관련 링크 | RJH60M1DP, RJH60M1DPE-00#J3 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | UT165-L48 10+ | UT165-L48 10+ USBEST LQFP48 | UT165-L48 10+.pdf | |
![]() | BDW22 | BDW22 ST TO-3 | BDW22.pdf | |
![]() | TCSCS0J475MAAR | TCSCS0J475MAAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS0J475MAAR.pdf | |
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![]() | HC-49U 1.8432MHZ | HC-49U 1.8432MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | HC-49U 1.8432MHZ.pdf | |
![]() | US3004BCW | US3004BCW ORIGINAL SSOP | US3004BCW.pdf | |
![]() | LT1294DCN | LT1294DCN LT DIP20 | LT1294DCN.pdf | |
![]() | LM3354MMX-5.0/NOPB | LM3354MMX-5.0/NOPB NS SWCAPBUCKBOOSTPR | LM3354MMX-5.0/NOPB.pdf | |
![]() | P80C51FA4BC | P80C51FA4BC PHI QFP | P80C51FA4BC.pdf | |
![]() | P74 | P74 ORIGINAL NEW | P74.pdf | |
![]() | 2SB870 | 2SB870 ISC TO-220 | 2SB870.pdf |