창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RG3216V-2212-D-T5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RG Series | |
| 제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Susumu | |
| 계열 | RG | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 22.1k | |
| 허용 오차 | ±0.5% | |
| 전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±5ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 1206 | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.020"(0.50mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RG3216V-2212-D-T5 | |
| 관련 링크 | RG3216V-22, RG3216V-2212-D-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 | |
|  | SMH35VS103M22X50T2 | 10000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 41 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMH35VS103M22X50T2.pdf | |
| .jpg) | CC0805JRNPO0BN681 | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPO0BN681.pdf | |
|  | RDE7U2E102J1M1H03A | 1000pF 250V 세라믹 커패시터 U2J 방사 0.177" L x 0.124" W(4.50mm x 3.15mm) | RDE7U2E102J1M1H03A.pdf | |
|  | ASGTX-P-160.000MHZ-2-T2 | 160MHz LVPECL VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 60mA | ASGTX-P-160.000MHZ-2-T2.pdf | |
|  | G6Z-1PE 5VDC | G6Z-1PE 5VDC OMRON SMD or Through Hole | G6Z-1PE 5VDC.pdf | |
|  | TSOP2136VII | TSOP2136VII VISHAY SIP3 | TSOP2136VII.pdf | |
|  | CXA8038, | CXA8038, SONY SMD-16 | CXA8038,.pdf | |
|  | HZK12CTR-S-E | HZK12CTR-S-E RENESAS SOD-80 | HZK12CTR-S-E.pdf | |
|  | BD5110G-TR | BD5110G-TR ROHM SOT153 | BD5110G-TR.pdf | |
|  | MUR3022PTG | MUR3022PTG ORIGINAL SMD or Through Hole | MUR3022PTG.pdf | |
|  | 100810 | 100810 SCC SMD or Through Hole | 100810.pdf | |
|  | SP3232EEE | SP3232EEE SPIEX SSOP | SP3232EEE.pdf |