창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-3651-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 3.65k | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-3651-B-T5 | |
관련 링크 | RG2012V-36, RG2012V-3651-B-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
416F360X3ADR | 36MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F360X3ADR.pdf | ||
ELC-3FN2R7N | 2.7µH Unshielded Inductor 950mA 150 mOhm Nonstandard | ELC-3FN2R7N.pdf | ||
CAY10-75RJ4LF | RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804 | CAY10-75RJ4LF.pdf | ||
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2SK241-GR+ | 2SK241-GR+ ORIGINAL T0-92 | 2SK241-GR+.pdf | ||
S82438PX | S82438PX ORIGINAL QFP-100L | S82438PX.pdf | ||
IDT74ALVCH16820PV | IDT74ALVCH16820PV IDT SSOP | IDT74ALVCH16820PV.pdf | ||
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K6T2008V2A-YB10 | K6T2008V2A-YB10 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6T2008V2A-YB10.pdf | ||
216BABAVA12FGKQA84 | 216BABAVA12FGKQA84 ATI BGA | 216BABAVA12FGKQA84.pdf | ||
AVN310NR | AVN310NR ORIGINAL SMD or Through Hole | AVN310NR.pdf | ||
SD529L8A0339 | SD529L8A0339 ORIGINAL SMD or Through Hole | SD529L8A0339.pdf |