창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C9V1S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C9V1S-FDITR BZT52C9V1S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C9V1S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C9V, BZT52C9V1S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
DE2B3KY221KA3BM02 | 220pF 250VAC 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | DE2B3KY221KA3BM02.pdf | ||
GWR4R550 | 0.6 ~ 4.5pF Trimmer Capacitor 500V Through Hole 0.118" Dia x 0.310" L (3.00mm x 7.90mm) | GWR4R550.pdf | ||
SF4B-A6G(V2) | SAFE LITE CURTAIN ARM/FOOT 244MM | SF4B-A6G(V2).pdf | ||
AT25040N-2.7 | AT25040N-2.7 AT SOP8 | AT25040N-2.7.pdf | ||
1206 3.3R F | 1206 3.3R F TASUND SMD or Through Hole | 1206 3.3R F.pdf | ||
2SJ134-ZJ | 2SJ134-ZJ NEC D2-PAK | 2SJ134-ZJ.pdf | ||
AG10 ag3 ag13 | AG10 ag3 ag13 ORIGINAL SMD or Through Hole | AG10 ag3 ag13.pdf | ||
ISL83491IB | ISL83491IB INTERSIL SOP | ISL83491IB.pdf | ||
450PK33M16X25 | 450PK33M16X25 Rubycon DIP-2 | 450PK33M16X25.pdf | ||
GRM1551X1E271JD01D | GRM1551X1E271JD01D MURATA SMD | GRM1551X1E271JD01D.pdf | ||
HE2G227M35030 | HE2G227M35030 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2G227M35030.pdf |