창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG1608N-6812-D-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 68.1k | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0603 | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG1608N-6812-D-T5 | |
관련 링크 | RG1608N-68, RG1608N-6812-D-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
FA28C0G2A100DNU06 | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28C0G2A100DNU06.pdf | ||
CRCW2010560RFKEF | RES SMD 560 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW2010560RFKEF.pdf | ||
TC124-JR-075K6L | RES ARRAY 4 RES 5.6K OHM 0804 | TC124-JR-075K6L.pdf | ||
2010W2J0271T4E | 2010W2J0271T4E ROYALOHM SMD or Through Hole | 2010W2J0271T4E.pdf | ||
SST39VF010-90-4C-NHE | SST39VF010-90-4C-NHE SST PLCC | SST39VF010-90-4C-NHE.pdf | ||
CV0J330MAEANG 6.3V 33UF | CV0J330MAEANG 6.3V 33UF glenair SMD or Through Hole | CV0J330MAEANG 6.3V 33UF.pdf | ||
QRA14CF5601Y | QRA14CF5601Y MATUSHITA SMD or Through Hole | QRA14CF5601Y.pdf | ||
2SC4667-O(TE85R) SOT363-CHO | 2SC4667-O(TE85R) SOT363-CHO TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC4667-O(TE85R) SOT363-CHO.pdf | ||
RFK8N20 | RFK8N20 ORIGINAL TO-3 | RFK8N20.pdf | ||
TL58WF100Q | TL58WF100Q E-switch SMD or Through Hole | TL58WF100Q.pdf | ||
2SB1052P | 2SB1052P TOSHIBA DIP | 2SB1052P.pdf | ||
54S153FM | 54S153FM NSC Call | 54S153FM.pdf |