창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RG1005N-53R6-W-T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RG Series | |
| 제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Susumu | |
| 계열 | RG | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 53.6 | |
| 허용 오차 | ±0.05% | |
| 전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±10ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 | 0.016"(0.40mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RG1005N-53R6-W-T1 | |
| 관련 링크 | RG1005N-53, RG1005N-53R6-W-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 | |
|  | MAL213827479E3 | 47µF 40V Aluminum Capacitors Axial, Can 3.4 Ohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | MAL213827479E3.pdf | |
|  | RCE5C2A181J0DBH03A | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A181J0DBH03A.pdf | |
|  | S1210-102H | 1µH Shielded Inductor 635mA 400 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-102H.pdf | |
|  | SI4737-C-EVB | BOARD EVAL SI4737 VERSION C | SI4737-C-EVB.pdf | |
|  | ERB21B5C2D180JDX1L | ERB21B5C2D180JDX1L MURATA ORIGINAL | ERB21B5C2D180JDX1L.pdf | |
|  | D37553APCE | D37553APCE TI QFP-L160P | D37553APCE.pdf | |
|  | MAX6250BESAT | MAX6250BESAT MAXIM SOP-8 | MAX6250BESAT.pdf | |
|  | HT-110BP5 | HT-110BP5 HARVATEK SMD | HT-110BP5.pdf | |
|  | MGF0905A01 | MGF0905A01 mit SMD or Through Hole | MGF0905A01.pdf | |
|  | AU1000-266MC | AU1000-266MC AMD SMD or Through Hole | AU1000-266MC.pdf | |
|  | UPD78062GF(A)-371-3BA | UPD78062GF(A)-371-3BA NEC QFP100 | UPD78062GF(A)-371-3BA.pdf | |
|  | LKS1J562MESB | LKS1J562MESB NICHICON DIP | LKS1J562MESB.pdf |