창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RCJ510N25TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RCJ510N25 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 25.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | LPTS | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RCJ510N25TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RCJ510N25TL | |
관련 링크 | RCJ510, RCJ510N25TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
ESR03EZPJ1R8 | RES SMD 1.8 OHM 5% 1/4W 0603 | ESR03EZPJ1R8.pdf | ||
RS3MN | RS3MN ORIGINAL NSMC | RS3MN.pdf | ||
S3C7305D69-QXR5 | S3C7305D69-QXR5 SAMSUN QFP | S3C7305D69-QXR5.pdf | ||
10ME10000CZ | 10ME10000CZ SUNCON DIP | 10ME10000CZ.pdf | ||
09-03-260-6805 | 09-03-260-6805 HARTING/WSI SMD or Through Hole | 09-03-260-6805.pdf | ||
H5-AN-PT-R2S-110V | H5-AN-PT-R2S-110V FOTEK SMD or Through Hole | H5-AN-PT-R2S-110V.pdf | ||
MB89718A-484 | MB89718A-484 FUJI DIP64 | MB89718A-484.pdf | ||
LMC1028 | LMC1028 NDK NULL | LMC1028.pdf | ||
EHP-A08L/SUG01-P01 | EHP-A08L/SUG01-P01 SMD SMD or Through Hole | EHP-A08L/SUG01-P01.pdf | ||
XC6382B331MR | XC6382B331MR TORES SMD or Through Hole | XC6382B331MR.pdf | ||
T53-EQAD-1632 | T53-EQAD-1632 ORIGINAL SMD or Through Hole | T53-EQAD-1632.pdf | ||
74LS85NS | 74LS85NS TI SOP5.2 | 74LS85NS.pdf |