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Rohm Semiconductor RCD100N19TL

RCD100N19TL
제조업체 부품 번호
RCD100N19TL
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
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RCD100N19TL 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RCD100N19TL
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RCD100N19
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)190V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs182m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs52nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
전력 - 최대850mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지CPT3
표준 포장 2,500
다른 이름RCD100N19TLTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RCD100N19TL
관련 링크RCD100, RCD100N19TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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