창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RAF040P01TCL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RAF040P01 Packaging Info for Transistors P/N Explanation for Transistors Product Catalog - Mosfets | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4000pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RAF040P01TCL-ND RAF040P01TCLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RAF040P01TCL | |
| 관련 링크 | RAF040P, RAF040P01TCL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMCJ6057E3/TR13 | TVS DIODE 45VWM 80.5VC SMCJ | SMCJ6057E3/TR13.pdf | |
![]() | AISC-1812H-100K-T | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 350 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | AISC-1812H-100K-T.pdf | |
![]() | CMF5516K200FHEA | RES 16.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5516K200FHEA.pdf | |
![]() | SDD04S60 | SDD04S60 INFINEON SMD or Through Hole | SDD04S60.pdf | |
![]() | HL22E122MRAPF | HL22E122MRAPF HITACHI SMD | HL22E122MRAPF.pdf | |
![]() | PKG4410P1 | PKG4410P1 ORIGINAL SMD or Through Hole | PKG4410P1.pdf | |
![]() | LT1782IS5TR | LT1782IS5TR LTC-PBS/A SMD or Through Hole | LT1782IS5TR.pdf | |
![]() | PSB2160NVB2 | PSB2160NVB2 sie SMD or Through Hole | PSB2160NVB2.pdf | |
![]() | JD54L95BCA | JD54L95BCA NationalSemiconductor SMD or Through Hole | JD54L95BCA.pdf | |
![]() | FP6366S5G(XHZ) | FP6366S5G(XHZ) FITIPOWE SOT153 | FP6366S5G(XHZ).pdf | |
![]() | MM74C20J | MM74C20J NS DIP | MM74C20J.pdf |