창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6012FNX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6012FNX | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 510m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6012FNX | |
| 관련 링크 | R601, R6012FNX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 02153.15MXF34P | FUSE CERAMIC 3.15A 250VAC 5X20MM | 02153.15MXF34P.pdf | |
![]() | CRA06S083240RJTA | RES ARRAY 4 RES 240 OHM 1206 | CRA06S083240RJTA.pdf | |
![]() | A80503200SL2R7 | A80503200SL2R7 INTEL BGA | A80503200SL2R7.pdf | |
![]() | OM3045029-3 | OM3045029-3 OMRON QFP100 | OM3045029-3.pdf | |
![]() | H0303XS-1W | H0303XS-1W MICRODC SIP7 | H0303XS-1W.pdf | |
![]() | ICD2053SC | ICD2053SC CYPRESS SOP8 | ICD2053SC.pdf | |
![]() | BAT54SLT1G---ON | BAT54SLT1G---ON ON SOT23-3 | BAT54SLT1G---ON.pdf | |
![]() | UN221ETX+ | UN221ETX+ panasonic SOT23 | UN221ETX+.pdf | |
![]() | 1AB11023 | 1AB11023 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1AB11023.pdf | |
![]() | E9/153 | E9/153 TOSHIBA SOT-153 | E9/153.pdf | |
![]() | 2SA1941-OQ | 2SA1941-OQ Toshiba SMD or Through Hole | 2SA1941-OQ.pdf | |
![]() | M6MGG927T8CFP | M6MGG927T8CFP NSC NULL | M6MGG927T8CFP.pdf |