창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6012FNX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6012FNX | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 510m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6012FNX | |
| 관련 링크 | R601, R6012FNX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
| B41888C6107M | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 615 mOhm @ 10kHz 5000 Hrs @ 105°C | B41888C6107M.pdf | ||
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![]() | TA-66.667MDD-T | 66.667MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-66.667MDD-T.pdf | |
![]() | SSM6L61NU,LF | MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6 | SSM6L61NU,LF.pdf | |
![]() | 3362W-1-101LF | 100 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | 3362W-1-101LF.pdf | |
![]() | CY7C1021-20ZSC | CY7C1021-20ZSC CYPRESS TSOP | CY7C1021-20ZSC.pdf | |
![]() | QFN-44(68)B-0.5-01 | QFN-44(68)B-0.5-01 ENPLAS SMD or Through Hole | QFN-44(68)B-0.5-01.pdf | |
![]() | LMM83S064C2S | LMM83S064C2S ORIGINAL SMD or Through Hole | LMM83S064C2S.pdf |