창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R6006ANX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | R6006ANX | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FM | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | R6006ANX | |
관련 링크 | R600, R6006ANX 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | LQW04AN4N3D00D | 4.3nH Unshielded Inductor 530mA 100 mOhm Max Nonstandard | LQW04AN4N3D00D.pdf | |
![]() | RE0805DRE072K2L | RES SMD 2.2K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RE0805DRE072K2L.pdf | |
![]() | H8392KBYA | RES 392K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8392KBYA.pdf | |
![]() | CPW202R500GB143 | RES 2.5 OHM 20W 2% AXIAL | CPW202R500GB143.pdf | |
![]() | RC5532MN | RC5532MN EXAR SMD or Through Hole | RC5532MN.pdf | |
![]() | 38001208 | 38001208 MOLEX SMD or Through Hole | 38001208.pdf | |
![]() | slf7032t-151mr3 | slf7032t-151mr3 tdk SMD or Through Hole | slf7032t-151mr3.pdf | |
![]() | K1-PAT+ | K1-PAT+ MINI SMD or Through Hole | K1-PAT+.pdf | |
![]() | VSC8109QG | VSC8109QG VITESSE QFP | VSC8109QG.pdf | |
![]() | 3R12 | 3R12 H DO-27 | 3R12.pdf | |
![]() | LV5028TTG | LV5028TTG ON SMD or Through Hole | LV5028TTG.pdf | |
![]() | 15T-4501TA | 15T-4501TA YDS SMD or Through Hole | 15T-4501TA.pdf |