창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS8K2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS8K2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 285pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS8K2TR | |
| 관련 링크 | QS8K, QS8K2TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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| CBC2012T100M | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 340mA 1.56 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | CBC2012T100M.pdf | ||
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![]() | MC33326DW | MC33326DW MOTOROLA SMD | MC33326DW.pdf | |
![]() | M38224M6A-353FP | M38224M6A-353FP RENESAS QFP | M38224M6A-353FP.pdf | |
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![]() | LTC1421CG-25 | LTC1421CG-25 LT SOP | LTC1421CG-25.pdf | |
![]() | PALCE16V8H-7JC/ 5 | PALCE16V8H-7JC/ 5 ORIGINAL SMD or Through Hole | PALCE16V8H-7JC/ 5.pdf | |
![]() | GCM219R71H393KA37D | GCM219R71H393KA37D MURATA SMD or Through Hole | GCM219R71H393KA37D.pdf | |
![]() | UPD78058YGCW05 | UPD78058YGCW05 ORIGINAL SMD or Through Hole | UPD78058YGCW05.pdf |