창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS8J13TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS8J13 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 5.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS8J13TR | |
| 관련 링크 | QS8J, QS8J13TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
| 0MIN020.V | FUSE AUTO 20A 32VAC/VDC BLADE | 0MIN020.V.pdf | ||
![]() | AD6413002 | AD6413002 ORIGINAL QFP | AD6413002.pdf | |
![]() | HI1-547A-2 | HI1-547A-2 INTERSIL CDIP28 | HI1-547A-2.pdf | |
![]() | H11G2.4841 | H11G2.4841 QTC DIP6 | H11G2.4841.pdf | |
![]() | WW08XR301FTL | WW08XR301FTL ORIGINAL SMD | WW08XR301FTL.pdf | |
![]() | 74ABLCX32 | 74ABLCX32 NS SOP-14 | 74ABLCX32.pdf | |
![]() | MASWSS0203TR-3000 | MASWSS0203TR-3000 MACOM SMD or Through Hole | MASWSS0203TR-3000.pdf | |
![]() | BVV255V200 | BVV255V200 ON SMD or Through Hole | BVV255V200.pdf | |
![]() | NP1C106M05011BB180 | NP1C106M05011BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | NP1C106M05011BB180.pdf | |
![]() | 84VD22193EB-90 | 84VD22193EB-90 FUJITSU BGA | 84VD22193EB-90.pdf | |
![]() | QL20-14 | QL20-14 GUERTE QL | QL20-14.pdf |