창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-QM100DY-HB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | QM100DY-HB | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | QM100DY-HB | |
관련 링크 | QM100D, QM100DY-HB 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | SAC6.0-TP | TVS DIODE 6VWM 11.2VC DO15 | SAC6.0-TP.pdf | |
![]() | V20E460PL2B | VARISTOR 750V 10KA DISC 20MM | V20E460PL2B.pdf | |
![]() | 8Y-40.000MAAJ-T | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y-40.000MAAJ-T.pdf | |
![]() | 445C23E27M00000 | 27MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C23E27M00000.pdf | |
![]() | CM309E10000000ABJT | 10MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E10000000ABJT.pdf | |
![]() | PD85015S-E | IC RF PWR TRANSISTOR PWRSO-10RF | PD85015S-E.pdf | |
![]() | IXFA8N50P3 | MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA | IXFA8N50P3.pdf | |
![]() | MC6821P/PD | MC6821P/PD MOTO DIP | MC6821P/PD.pdf | |
![]() | H905331K4(WAFER23) | H905331K4(WAFER23) ORIGINAL QFP64 | H905331K4(WAFER23).pdf | |
![]() | CS1008-82NG-N | CS1008-82NG-N chilisin SMD | CS1008-82NG-N.pdf | |
![]() | 24IMS15-05-9R | 24IMS15-05-9R Power-Oneinc SMD or Through Hole | 24IMS15-05-9R.pdf | |
![]() | 8859CSNG7DN5 | 8859CSNG7DN5 PHILIPS SMD or Through Hole | 8859CSNG7DN5.pdf |