창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFA8N50P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx8N50P3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 705pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(IXFA) | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFA8N50P3 | |
관련 링크 | IXFA8N, IXFA8N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | DEBE33F472ZA3B | 4700pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 E 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | DEBE33F472ZA3B.pdf | |
![]() | SIT3807AI-G-28SE | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Standby | SIT3807AI-G-28SE.pdf | |
![]() | NQ80002PV QF81 | NQ80002PV QF81 INTEL BGA | NQ80002PV QF81.pdf | |
![]() | 100UF 10V | 100UF 10V ORIGINAL SMD or Through Hole | 100UF 10V.pdf | |
![]() | 68692-672H | 68692-672H ORIGINAL SOL28 | 68692-672H.pdf | |
![]() | ST6129T-R | ST6129T-R VALOR SOP-16 | ST6129T-R.pdf | |
![]() | NT2GT64U8HB0JY-2.5D | NT2GT64U8HB0JY-2.5D NANYA SMD or Through Hole | NT2GT64U8HB0JY-2.5D.pdf | |
![]() | S3C2410X | S3C2410X SAMSUNG BGA | S3C2410X.pdf | |
![]() | BA5851FM-E2 | BA5851FM-E2 ORIGINAL SMD or Through Hole | BA5851FM-E2.pdf | |
![]() | C8051F300-134 | C8051F300-134 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-134.pdf | |
![]() | 2CW77J | 2CW77J CHINA SMD or Through Hole | 2CW77J.pdf | |
![]() | C0603C471K5RAC 7867 | C0603C471K5RAC 7867 KEMETELECTRONICS SMD or Through Hole | C0603C471K5RAC 7867.pdf |