창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PVT412LPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PVT412 (PbF) | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | MER Devices Fab Site 09/Dec/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 2625 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 계전기 | |
| 제품군 | 무접점 계전기 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | PVT, HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 | SPST-NO(A형 1개) | |
| 출력 유형 | AC, DC | |
| 온스테이트 저항(최대) | 35옴 | |
| 부하 전류 | 120mA | |
| 전압 - 입력 | 1.2VDC | |
| 전압 - 부하 | 0 ~ 400 V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 종단 유형 | PC 핀 | |
| 패키지/케이스 | 6-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DIP | |
| 계전기 유형 | 계전기 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001543914 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PVT412LPBF | |
| 관련 링크 | PVT412, PVT412LPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1SS427,L3M | DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 | 1SS427,L3M.pdf | |
![]() | HKQ04021N8B-T | 1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 190 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HKQ04021N8B-T.pdf | |
![]() | CMF5554R200DHEK | RES 54.2 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5554R200DHEK.pdf | |
![]() | AD2310AR | AD2310AR SONY SMD or Through Hole | AD2310AR.pdf | |
![]() | LT1008CN8#PBF | LT1008CN8#PBF LT DIP | LT1008CN8#PBF.pdf | |
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![]() | 3323W-1-203LF | 3323W-1-203LF BURANS DIP | 3323W-1-203LF.pdf | |
![]() | RJH-25V272MJ7G | RJH-25V272MJ7G ELNA DIP | RJH-25V272MJ7G.pdf | |
![]() | NPIS53D221MTRF | NPIS53D221MTRF Niccomp SMD | NPIS53D221MTRF.pdf | |
![]() | jg-35401 | jg-35401 ORIGINAL SMD or Through Hole | jg-35401.pdf |