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NXP Semiconductors PSMN6R3-120ESQ

PSMN6R3-120ESQ
제조업체 부품 번호
PSMN6R3-120ESQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
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PSMN6R3-120ESQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN6R3-120ESQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN6R3-120ES
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)120V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C70A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.7m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs207.1nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds11384pF @ 60V
전력 - 최대405W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지TO-262-3
표준 포장 50
다른 이름568-10988-5
934067856127
PSMN6R3-120ESQ-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PSMN6R3-120ESQ
관련 링크PSMN6R3-, PSMN6R3-120ESQ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
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