홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PSMN012-80PS,127

NXP Semiconductors PSMN012-80PS,127

PSMN012-80PS,127
제조업체 부품 번호
PSMN012-80PS,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
PSMN012-80PS,127 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 637.57780
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PSMN012-80PS,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN012-80PS,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN012-80PS,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PSMN012-80PS,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN012-80PS,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN012-80PS,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN012-80PS
주요제품TO220 with Trench 6 MOSFETs
카탈로그 페이지 1503 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C74A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11m옴 @ 15A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs43nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2782pF @ 12V
전력 - 최대148W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-4902-5
934063911127
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN012-80PS,127
관련 링크PSMN012-8, PSMN012-80PS,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PSMN012-80PS,127 의 관련 제품
OSC XO 2.5V 200MHZ SIT9121AI-2B3-25E200.000000T.pdf
TRANS PNP 150V 0.05A SMINI-3 2SB1220GRL.pdf
STMP3400L SIGMATEL QFP-100 STMP3400L.pdf
ACD06PV-A10P PIC SOP ACD06PV-A10P.pdf
3D16-3.3UH ORIGINAL SMD or Through Hole 3D16-3.3UH.pdf
RH3H-16R ORIGINAL SMD or Through Hole RH3H-16R.pdf
ATTIVY28V-1AC ATMEL QFP ATTIVY28V-1AC.pdf
49.920M KDS SMD or Through Hole 49.920M.pdf
PIC12F676I MIC DIP PIC12F676I.pdf
HG-2150CA11.289600MHZSVC ORIGINAL SMD or Through Hole HG-2150CA11.289600MHZSVC.pdf
RGE-1100 RAYCHEM DIP RGE-1100.pdf
SEE443 ORIGINAL BGA SEE443.pdf