창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN012-80PS,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN012-80PS | |
주요제품 | TO220 with Trench 6 MOSFETs | |
카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 74A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2782pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 148W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-4902-5 934063911127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN012-80PS,127 | |
관련 링크 | PSMN012-8, PSMN012-80PS,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
SSH25N35 | SSH25N35 ORIGINAL 3P | SSH25N35.pdf | ||
IX1297CE | IX1297CE SHARP HZIP12 | IX1297CE.pdf | ||
F-80-14500-10-R | F-80-14500-10-R RLC SMA | F-80-14500-10-R.pdf | ||
K4E660411C-JC60 | K4E660411C-JC60 SAMSUNG SOP | K4E660411C-JC60.pdf | ||
DS1307A3 | DS1307A3 Dallas SOP | DS1307A3.pdf | ||
P8010B | P8010B EUTECH TDFN-10 | P8010B.pdf | ||
ZPSD813F4V-90J | ZPSD813F4V-90J ST PLCC52 | ZPSD813F4V-90J.pdf | ||
TLPH5020C-6R8M | TLPH5020C-6R8M TAI-TECH SMD | TLPH5020C-6R8M.pdf | ||
M3328A1 | M3328A1 ALI TQFP | M3328A1.pdf | ||
LT3484ESC6-2#TRPBF | LT3484ESC6-2#TRPBF LINEAR SMD or Through Hole | LT3484ESC6-2#TRPBF.pdf | ||
MBR20100CTG + | MBR20100CTG + ON TO220 | MBR20100CTG +.pdf |