창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN011-60MSX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN011-60MS | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 05/Oct/2014 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 61A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.3m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1368pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 91W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-10986-2 934067518115 PSMN011-60MSX-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN011-60MSX | |
관련 링크 | PSMN011, PSMN011-60MSX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
MKP385539100JYP5T0 | 3.9µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385539100JYP5T0.pdf | ||
HYB18T1G160C4F-2.5 | HYB18T1G160C4F-2.5 QIMONDA FBGA84 | HYB18T1G160C4F-2.5.pdf | ||
AD546KN | AD546KN AD DIP-8 | AD546KN.pdf | ||
TCP759 | TCP759 TOS DIP-8 | TCP759.pdf | ||
STP2301 | STP2301 SEMTRON-MICRO SMD or Through Hole | STP2301.pdf | ||
CB3216D121T | CB3216D121T ORIGINAL SMD or Through Hole | CB3216D121T.pdf | ||
ICS91718BML | ICS91718BML ICS SOP8 | ICS91718BML.pdf | ||
A1LW | A1LW VISHAY SOT23-5 | A1LW.pdf | ||
FW82443MX100(SL3N4) | FW82443MX100(SL3N4) INTEL SMD or Through Hole | FW82443MX100(SL3N4).pdf | ||
A8907 | A8907 ROHM QFN | A8907.pdf | ||
IRFD211PBF | IRFD211PBF IR-VISHAY DIP4 | IRFD211PBF.pdf | ||
M82/23 | M82/23 NEC SOT-23 | M82/23.pdf |