창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PIH10D30-121M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PIH10D30-121M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PIH10D30-121M | |
| 관련 링크 | PIH10D3, PIH10D30-121M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | AST3TQ53-T-20.000MHZ-2-C-T5 | 20MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 6mA | AST3TQ53-T-20.000MHZ-2-C-T5.pdf | |
![]() | PQ1M253M2SP | PQ1M253M2SP SHARP SOT89-5 | PQ1M253M2SP.pdf | |
![]() | 216PLAKB13FG | 216PLAKB13FG ATI BGA | 216PLAKB13FG.pdf | |
![]() | EM91401GPJ | EM91401GPJ ENC DIP20 | EM91401GPJ.pdf | |
![]() | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T5663RZ3-CF7 (DDR2/ 2G/ 800/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | 10SV4R7M | 10SV4R7M SANYO SMD or Through Hole | 10SV4R7M.pdf | |
![]() | 1254UYD/S530-A3 | 1254UYD/S530-A3 EVERLIGHT SMD or Through Hole | 1254UYD/S530-A3.pdf | |
![]() | LSC429089CDW | LSC429089CDW MOT SMD or Through Hole | LSC429089CDW.pdf | |
![]() | VRH0902LTX | VRH0902LTX ORIGINAL SOT-25 | VRH0902LTX.pdf | |
![]() | DS3316-151M | DS3316-151M ORIGINAL SMD or Through Hole | DS3316-151M.pdf | |
![]() | SI1406 | SI1406 VISHAY SOT-23 | SI1406.pdf | |
![]() | K221 | K221 ORIGINAL QFN | K221.pdf |