창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PHT4NQ10T,135 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PHT4NQ10T | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 1.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6.9W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SC-73 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 568-6777-2 934056117135 PHT4NQ10T /T3 PHT4NQ10T /T3-ND PHT4NQ10T,135-ND PHT4NQ10T135 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PHT4NQ10T,135 | |
| 관련 링크 | PHT4NQ1, PHT4NQ10T,135 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D430KLXAJ | 43pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D430KLXAJ.pdf | |
![]() | 18SE-10 | MOUNTING BRACKETS PACK OF 10 | 18SE-10.pdf | |
![]() | LT685MH/883C | LT685MH/883C LT CAN | LT685MH/883C.pdf | |
![]() | 1N4734AT9 5V6 | 1N4734AT9 5V6 RENESAS DO41 | 1N4734AT9 5V6.pdf | |
![]() | B7826 | B7826 epcos QCS5C | B7826.pdf | |
![]() | HIP5600EVAL2 | HIP5600EVAL2 HAR Call | HIP5600EVAL2.pdf | |
![]() | FH12-50S-0.5SV(55)(05) | FH12-50S-0.5SV(55)(05) Hirose SMD or Through Hole | FH12-50S-0.5SV(55)(05).pdf | |
![]() | LVTH162244A | LVTH162244A TI TSSOP | LVTH162244A.pdf | |
![]() | NE72218/V58 | NE72218/V58 NEC SOT-343 | NE72218/V58.pdf | |
![]() | 2SK3476(UCF) | 2SK3476(UCF) TOSHIBA PW-X | 2SK3476(UCF).pdf | |
![]() | MLAH90LV0 | MLAH90LV0 ORIGINAL SOP-8L | MLAH90LV0.pdf |