창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PH3030AL,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Computing Appl Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2822pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 81W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 934063085115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PH3030AL,115 | |
관련 링크 | PH3030A, PH3030AL,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 9C-18.432MAAJ-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-18.432MAAJ-T.pdf | |
![]() | RT0402BRD071K58L | RES SMD 1.58KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD071K58L.pdf | |
![]() | P51-75-A-Y-M12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-75-A-Y-M12-20MA-000-000.pdf | |
![]() | ATMEL8 | ATMEL8 AT DIP | ATMEL8.pdf | |
![]() | ESCT | ESCT NSC QFN-10 | ESCT.pdf | |
![]() | GF-220U | GF-220U TOKIN SMD or Through Hole | GF-220U.pdf | |
![]() | LTC2217C | LTC2217C LT QFN64 | LTC2217C.pdf | |
![]() | SN74ALS689N | SN74ALS689N TI DIP | SN74ALS689N.pdf | |
![]() | PW465A-10V | PW465A-10V ORIGINAL BGA | PW465A-10V.pdf | |
![]() | 2206031R5K7F | 2206031R5K7F FAIR-RITE SMD | 2206031R5K7F.pdf | |
![]() | LTC2637HDE-HZ10 | LTC2637HDE-HZ10 LT SMD or Through Hole | LTC2637HDE-HZ10.pdf | |
![]() | H5DU5162EFR-K3CI | H5DU5162EFR-K3CI HYNIX SMD or Through Hole | H5DU5162EFR-K3CI.pdf |