창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0U4BF,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PESD5V0U4B(F,W) | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Standards and Products | |
| 카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | - | |
| 양방향 채널 | 4 | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 5.5V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | - | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
| 전력 - 피크 펄스 | - | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 자동차 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 2.9pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TA) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 6-XSON, SOT886(1.45x1) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 568-4810-2 934061951115 PESD5V0V4BF,115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PESD5V0U4BF,115 | |
| 관련 링크 | PESD5V0U4, PESD5V0U4BF,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
|  | H5N3008P-E | H5N3008P-E RENESAS Call | H5N3008P-E.pdf | |
|  | M37102M8-526SP | M37102M8-526SP ORIGINAL DIP-64 | M37102M8-526SP.pdf | |
|  | 502250-4120 | 502250-4120 MOLEX SMD | 502250-4120.pdf | |
|  | ILC7083AIM550X. | ILC7083AIM550X. ORIGINAL SMD or Through Hole | ILC7083AIM550X..pdf | |
|  | M38859FFHP#U0 | M38859FFHP#U0 HITACHI SMD or Through Hole | M38859FFHP#U0.pdf | |
|  | S3C44BOX01-EO80 | S3C44BOX01-EO80 SAMSUNG QFP | S3C44BOX01-EO80.pdf | |
|  | IMS1600W55 | IMS1600W55 INMOS CLCC22 | IMS1600W55.pdf | |
|  | NACE220M63V6.3X8TR13F | NACE220M63V6.3X8TR13F NICCOMPONENTS ORIGINAL | NACE220M63V6.3X8TR13F.pdf | |
|  | 2N5870G | 2N5870G ON TO-3 | 2N5870G.pdf | |
|  | MMA0204-501%VG03BL16K2 | MMA0204-501%VG03BL16K2 VISHAY SMD or Through Hole | MMA0204-501%VG03BL16K2.pdf | |
|  | BY3291500S | BY3291500S ORIGINAL T0220 | BY3291500S.pdf | |
|  | ERZV14D241 | ERZV14D241 pan INSTOCKPACK50bu | ERZV14D241.pdf |