창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PESD5V02S18U | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PESD5V02S18U | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PESD5V02S18U | |
| 관련 링크 | PESD5V0, PESD5V02S18U 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | AFK106M80E16B-F | 10µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2.4 Ohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | AFK106M80E16B-F.pdf | |
![]() | T95V335M020HSAL | 3.3µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1410 (3727 Metric) 3 Ohm 0.143" L x 0.104" W (3.63mm x 2.65mm) | T95V335M020HSAL.pdf | |
![]() | DSC1001DI4-066.4860T | 66.486MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001DI4-066.4860T.pdf | |
![]() | 3131R60 | 3131R60 ORIGINAL DIP4 | 3131R60.pdf | |
![]() | K4T51163QB-GC05 | K4T51163QB-GC05 SAMSUNG BGA | K4T51163QB-GC05.pdf | |
![]() | CD288H680UF25VM | CD288H680UF25VM tf INSTOCKPACK200b | CD288H680UF25VM.pdf | |
![]() | MPS103FPCV04 | MPS103FPCV04 TYCO/WSI SMD or Through Hole | MPS103FPCV04.pdf | |
![]() | L938A083 KC366/128 SL3C7 | L938A083 KC366/128 SL3C7 INTEL BGA | L938A083 KC366/128 SL3C7.pdf | |
![]() | HVR187TRC TEL:82766440 | HVR187TRC TEL:82766440 HITACHI SOD-123 | HVR187TRC TEL:82766440.pdf | |
![]() | 28F256K3C(PB-FREE) | 28F256K3C(PB-FREE) INTEL BGA | 28F256K3C(PB-FREE).pdf | |
![]() | WD1V157M0811M | WD1V157M0811M SAMWH DIP | WD1V157M0811M.pdf | |
![]() | 592D227X06R3B2 | 592D227X06R3B2 VISHAY CAPTANTAL(CFM)6.3V | 592D227X06R3B2.pdf |