창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RC2012J911CS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RC Series Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Chip Resistor RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Chip Resistors and Arrays | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | RC | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 910 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 내습성 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0805 | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 | 0.024"(0.60mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 1276-5530-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RC2012J911CS | |
| 관련 링크 | RC2012J, RC2012J911CS 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | ECW-H12103RJV | 10000pF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.315" W (18.00mm x 8.00mm) | ECW-H12103RJV.pdf | |
![]() | JW2SN-DC60V | JW RELAY 2 FORM C 60V 5A | JW2SN-DC60V.pdf | |
![]() | TEPSLD0J157M(55)-12R | TEPSLD0J157M(55)-12R NECTOKIN SMD or Through Hole | TEPSLD0J157M(55)-12R.pdf | |
![]() | 5C000AK03 | 5C000AK03 ORIGINAL BGA9 | 5C000AK03.pdf | |
![]() | AP-44 | AP-44 KEYEBCE DIP | AP-44.pdf | |
![]() | LA1883MMT-P | LA1883MMT-P SANYO QFP | LA1883MMT-P.pdf | |
![]() | PCM1680DBQ G4 | PCM1680DBQ G4 TI/BB SSOP | PCM1680DBQ G4.pdf | |
![]() | 51742-10402000CCLF | 51742-10402000CCLF FCISINGAPOREPTE SMD or Through Hole | 51742-10402000CCLF.pdf | |
![]() | 04FHC-RSM1-GAN-TB-P(LF) | 04FHC-RSM1-GAN-TB-P(LF) JST SMD or Through Hole | 04FHC-RSM1-GAN-TB-P(LF).pdf | |
![]() | IDT79RC64V475-250DP | IDT79RC64V475-250DP IDT QFP | IDT79RC64V475-250DP.pdf | |
![]() | XRHEECNAND-25M | XRHEECNAND-25M HOSONIC SMD | XRHEECNAND-25M.pdf | |
![]() | DD90 | DD90 SamRex SMD or Through Hole | DD90.pdf |