창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDZ2.4B,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PDZ-B Series | |
| PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11259-2 934054842115 PDZ2.4B T/R PDZ2.4B T/R-ND PDZ2.4B,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDZ2.4B,115 | |
| 관련 링크 | PDZ2.4, PDZ2.4B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 170M4540 | FUSE 630A 1000V 1FKE/115 AR | 170M4540.pdf | |
![]() | V39MT2B | VARISTOR 39V 40A SOD83A AXIAL | V39MT2B.pdf | |
![]() | SDURF2060CTR | DIODE ARRAY GP 600V ITO220AB | SDURF2060CTR.pdf | |
![]() | PM3316S-1R0M-RC | 1µH Shielded Wirewound Inductor 4.5A 17 mOhm Nonstandard | PM3316S-1R0M-RC.pdf | |
![]() | TLE4863-2/ | TLE4863-2/ INFINEON SOP8 | TLE4863-2/.pdf | |
![]() | S87C654-5B44 | S87C654-5B44 PHI QFP44 | S87C654-5B44.pdf | |
![]() | LP5996SDX-1525 | LP5996SDX-1525 NS LLP-10 | LP5996SDX-1525.pdf | |
![]() | CT21X5R105K16AT | CT21X5R105K16AT KYOCERA SMD | CT21X5R105K16AT.pdf | |
![]() | 54785-3409 | 54785-3409 MOLEX SMD or Through Hole | 54785-3409.pdf | |
![]() | K6X1008T2D-TF70/PF70 | K6X1008T2D-TF70/PF70 MEMORY SMD | K6X1008T2D-TF70/PF70.pdf | |
![]() | H30DF6 | H30DF6 NIL SMD or Through Hole | H30DF6.pdf | |
![]() | 2SA1862 TL P | 2SA1862 TL P ROHM TO252 | 2SA1862 TL P.pdf |