창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTC124EMB,315 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934065923315 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 230MHz | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-DFN1006B(.60x1) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PDTC124EMB,315 | |
| 관련 링크 | PDTC124E, PDTC124EMB,315 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| EMZR250ADA221MF80G | 220µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 160 mohm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | EMZR250ADA221MF80G.pdf | ||
![]() | RC0805DR-072K49L | RES SMD 2.49K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-072K49L.pdf | |
![]() | J2N6784 | J2N6784 IR CAN | J2N6784.pdf | |
![]() | M56747AFP | M56747AFP MIT SSOP | M56747AFP.pdf | |
![]() | 12101C270GAT2A | 12101C270GAT2A ORIGINAL SMD or Through Hole | 12101C270GAT2A.pdf | |
![]() | CHL-0003 | CHL-0003 ORIGINAL SMD or Through Hole | CHL-0003.pdf | |
![]() | EFOUCVE1XW07E | EFOUCVE1XW07E ALPS SMD8 | EFOUCVE1XW07E.pdf | |
![]() | 5962-9074101MRA | 5962-9074101MRA TEXAS DIP-20 | 5962-9074101MRA.pdf | |
![]() | GL6002USB-B-2D | GL6002USB-B-2D ORIGINAL DIP-16P | GL6002USB-B-2D.pdf | |
![]() | SAB-82532-NV3.2A | SAB-82532-NV3.2A INFINEON PLCC-68 | SAB-82532-NV3.2A.pdf | |
![]() | TK1-L2-9V | TK1-L2-9V NAIS SMD or Through Hole | TK1-L2-9V.pdf | |
![]() | CSI1023JI-30 (I2C) | CSI1023JI-30 (I2C) ON/CATALYST/CSI SOIC8L | CSI1023JI-30 (I2C).pdf |