NXP Semiconductors PDTB123ET,215

PDTB123ET,215
제조업체 부품 번호
PDTB123ET,215
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
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TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
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내부 부품 번호EIS-PDTB123ET,215
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PDTB123E Series
PDTB123ET
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23(TO-236AB)
표준 포장 3,000
다른 이름568-11242-2
934058976215
PDTB123ET T/R
PDTB123ET T/R-ND
PDTB123ET,215-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PDTB123ET,215
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