창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PD20010TR-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PD20010-E | |
기타 관련 문서 | PD20010-E View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
카탈로그 페이지 | 1542 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 2GHz | |
이득 | 11dB | |
전압 - 테스트 | 13.6V | |
정격 전류 | 5A | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 150mA | |
전력 - 출력 | 10W | |
전압 - 정격 | 40V | |
패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 성형 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(성형 리드(Lead)) | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | 497-10096-2 PD20010TR-E-ND PD20010TRE | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PD20010TR-E | |
관련 링크 | PD2001, PD20010TR-E 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CGA8L1C0G3F151K160KA | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8L1C0G3F151K160KA.pdf | |
![]() | VJ0402D110MXXAJ | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D110MXXAJ.pdf | |
![]() | STD35NF3LL_07 | STD35NF3LL_07 ST TO-252 | STD35NF3LL_07.pdf | |
![]() | 00000D307AA | 00000D307AA ORIGINAL QFN-16 | 00000D307AA.pdf | |
![]() | 0447MNL | 0447MNL N/A SOP | 0447MNL.pdf | |
![]() | OK05YCTCTEQ0435 | OK05YCTCTEQ0435 N/A SOP | OK05YCTCTEQ0435.pdf | |
![]() | EEFUE0J151XE | EEFUE0J151XE PANASONIC SMD | EEFUE0J151XE.pdf | |
![]() | S-80836ANNP-EDO-T1 | S-80836ANNP-EDO-T1 SEIKO SMD or Through Hole | S-80836ANNP-EDO-T1.pdf | |
![]() | 2SD968-P | 2SD968-P Mat SOT-89 | 2SD968-P.pdf | |
![]() | TN457778-8640 | TN457778-8640 ORIGINAL SMD or Through Hole | TN457778-8640.pdf | |
![]() | ECP-U1E183JB5 | ECP-U1E183JB5 PAN SMD | ECP-U1E183JB5.pdf | |
![]() | T-NR4820080 | T-NR4820080 SIEMENS PLCC-68 | T-NR4820080.pdf |