창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-P1166.473NLT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | P1166NL Series SMT Power Inductors | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Devices Alternate Site 09/Mar/2016 | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Pulse Electronics Corporation | |
계열 | P1166NL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 권선 | |
소재 - 코어 | - | |
유도 용량 | 47µH | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전류 | 830mA | |
전류 - 포화 | 830mA | |
차폐 | 차폐 | |
DC 저항(DCR) | 260m옴최대 | |
Q @ 주파수 | - | |
주파수 - 자기 공진 | 12MHz | |
등급 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 130°C | |
주파수 - 테스트 | 100kHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 비표준 | |
크기/치수 | 0.297" L x 0.297" W(7.54mm x 7.54mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.138"(3.51mm) | |
표준 포장 | 1,200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | P1166.473NLT | |
관련 링크 | P1166.4, P1166.473NLT 데이터 시트, Pulse Electronics Corporation 에이전트 유통 |
![]() | HCZ331KBCDF0KR | 330pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | HCZ331KBCDF0KR.pdf | |
![]() | B32916A5105M | 1µF Film Capacitor 530V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.551" W (41.50mm x 14.00mm) | B32916A5105M.pdf | |
![]() | ERJ-S03J222V | RES SMD 2.2K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J222V.pdf | |
![]() | PMR209MC6100M330R30 | PMR209MC6100M330R30 EVOX RIFA SMD or Through Hole | PMR209MC6100M330R30.pdf | |
![]() | HY27UA081G2M-YCBO | HY27UA081G2M-YCBO HYNIX TSOP | HY27UA081G2M-YCBO.pdf | |
![]() | ADG701BRJ-REEL7 | ADG701BRJ-REEL7 AD SOT23-5 | ADG701BRJ-REEL7.pdf | |
![]() | KS24C041CSTF | KS24C041CSTF SAMSUNG SOP-8 | KS24C041CSTF.pdf | |
![]() | TPS79605DCQR | TPS79605DCQR TI SOT-223 | TPS79605DCQR.pdf | |
![]() | 92HD81B1B5NLGXUAX | 92HD81B1B5NLGXUAX IDT QFN32 | 92HD81B1B5NLGXUAX.pdf | |
![]() | 3B1065 | 3B1065 INFINEON DIP8 | 3B1065.pdf | |
![]() | MACHLV21015JC18JI | MACHLV21015JC18JI LATTICE SMD or Through Hole | MACHLV21015JC18JI.pdf | |
![]() | LN6401FF3033MR++ | LN6401FF3033MR++ natlinear SOT-23-6L | LN6401FF3033MR++.pdf |