창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NZD6V2MUT5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NZD5V1MU Series | |
| PCN 포장 | New Carrier Tape x3DFN2 15/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-X3DFN(0.62x0.32) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NZD6V2MUT5G | |
| 관련 링크 | NZD6V2, NZD6V2MUT5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW2010232KBETF | RES SMD 232K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010232KBETF.pdf | |
![]() | CMF6010R000FKBF70 | RES 10 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6010R000FKBF70.pdf | |
![]() | EN2010-GB1/S2 | EN2010-GB1/S2 ENTROPIC BGA | EN2010-GB1/S2.pdf | |
![]() | TDC1035R3C | TDC1035R3C EVQPARW SMD or Through Hole | TDC1035R3C.pdf | |
![]() | 62789-571111 | 62789-571111 FCI smdConnecto | 62789-571111.pdf | |
![]() | MT6231562AZJ | MT6231562AZJ MT DIP18 | MT6231562AZJ.pdf | |
![]() | SP306DC | SP306DC NEWAVE SOP-8 | SP306DC.pdf | |
![]() | GNM2145C1H330KD0 | GNM2145C1H330KD0 K SMD or Through Hole | GNM2145C1H330KD0.pdf | |
![]() | RD10ESA | RD10ESA ORIGINAL DO-34 | RD10ESA.pdf | |
![]() | NAND32GAH0AZA5E | NAND32GAH0AZA5E ORIGINAL SMD or Through Hole | NAND32GAH0AZA5E.pdf | |
![]() | SG51P3M6864 | SG51P3M6864 epson SMD or Through Hole | SG51P3M6864.pdf | |
![]() | CSACV6M5T55J-R0 | CSACV6M5T55J-R0 MURATA SMD | CSACV6M5T55J-R0.pdf |