창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVB6411ANT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB,NTP6411AN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 72A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 217W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK-3 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVB6411ANT4G | |
| 관련 링크 | NVB6411, NVB6411ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UPW1C150MDH | 15µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPW1C150MDH.pdf | ||
![]() | 0977004.MXP | FUSE CERM 4A 500VAC 450VDC 5X20 | 0977004.MXP.pdf | |
![]() | EM 1AV0 | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | EM 1AV0.pdf | |
![]() | H3DK-HBS AC/DC24-48 | Off-Delay Time Delay Relay SPDT (1 Form C) 0.1 Sec ~ 12 Sec Delay 5A @ 250VAC DIN Rail | H3DK-HBS AC/DC24-48.pdf | |
![]() | FDS2P102A-NL | FDS2P102A-NL FAIRCHILD SOP-8 | FDS2P102A-NL.pdf | |
![]() | SL1010X7R181M16VP5 | SL1010X7R181M16VP5 FAIRCHILD SO-8 | SL1010X7R181M16VP5.pdf | |
![]() | HCT4351 | HCT4351 N/A SOP20 | HCT4351.pdf | |
![]() | MG7502YS1 | MG7502YS1 Nuvoton DIP | MG7502YS1.pdf | |
![]() | GXE63VB101M10X16LL | GXE63VB101M10X16LL ORIGINAL DIP | GXE63VB101M10X16LL.pdf | |
![]() | HB-1T0603-800J | HB-1T0603-800J ORIGINAL SMD or Through Hole | HB-1T0603-800J.pdf | |
![]() | CA3508/3 | CA3508/3 HARRIS DIP | CA3508/3.pdf | |
![]() | NMC0805X5R106K6.3TRPLP | NMC0805X5R106K6.3TRPLP NMC o | NMC0805X5R106K6.3TRPLP.pdf |