창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVB5404NT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices Update 28/Jun/2011 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 32V | |
전력 - 최대 | 5.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NVB5404NT4G | |
관련 링크 | NVB540, NVB5404NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 7704211 | 7704211 AMP/WSI SMD or Through Hole | 7704211.pdf | |
![]() | REC2010CT-100JN-2T | REC2010CT-100JN-2T Mini NA | REC2010CT-100JN-2T.pdf | |
![]() | 80019S1-011 | 80019S1-011 NEC BGA | 80019S1-011.pdf | |
![]() | CR25JTES0608 | CR25JTES0608 VIC SMD | CR25JTES0608.pdf | |
![]() | 3301-LI/P | 3301-LI/P Microchi DIP-8 | 3301-LI/P.pdf | |
![]() | UPD65652GD-E16-5ML | UPD65652GD-E16-5ML NEC QFP | UPD65652GD-E16-5ML.pdf | |
![]() | MPS6521G | MPS6521G ONSEMI TO-92-GP | MPS6521G.pdf | |
![]() | A25ASBB | A25ASBB SCI SMD or Through Hole | A25ASBB.pdf | |
![]() | MALL6384 | MALL6384 N/A DIP | MALL6384.pdf | |
![]() | 54F521BEA | 54F521BEA S DIP | 54F521BEA.pdf | |
![]() | CED02N6A/CEU02N6A | CED02N6A/CEU02N6A CET TO-251 TO-252 | CED02N6A/CEU02N6A.pdf | |
![]() | SJE3011G | SJE3011G ON SMD or Through Hole | SJE3011G.pdf |