창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVB5404NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices Update 28/Jun/2011 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 32V | |
| 전력 - 최대 | 5.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVB5404NT4G | |
| 관련 링크 | NVB540, NVB5404NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VQ1006P | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | VQ1006P.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF6980U | RES SMD 698 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF6980U.pdf | |
| ER743K3JT | RES 3.30K OHM 3W 5% AXIAL | ER743K3JT.pdf | ||
![]() | TRJA224K050RNJ | TRJA224K050RNJ KEMET SMD | TRJA224K050RNJ.pdf | |
![]() | RC106C | RC106C SANYO SOT-23 | RC106C.pdf | |
![]() | EM73A01-015 | EM73A01-015 ELAN TSSOP-28 | EM73A01-015.pdf | |
![]() | M37531M4V | M37531M4V FUJITSU SSOP | M37531M4V.pdf | |
![]() | AQW210B20 | AQW210B20 panasoni SOP8 | AQW210B20.pdf | |
![]() | DYB1209S-1W | DYB1209S-1W YAOHUA SIP | DYB1209S-1W.pdf | |
![]() | BCM5784MKLG | BCM5784MKLG BROADCOM QFN | BCM5784MKLG.pdf | |
![]() | SST55VD020-60-C-TQW | SST55VD020-60-C-TQW SST SMD or Through Hole | SST55VD020-60-C-TQW.pdf | |
![]() | MB624601UM | MB624601UM FUJI DIP40 | MB624601UM.pdf |