창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-VQ1006P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | VN0808L/LS,VQ1006P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 4 N 채널 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | VQ1006P | |
| 관련 링크 | VQ10, VQ1006P 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 7M-19.200MAAJ-T | 19.2MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-19.200MAAJ-T.pdf | |
![]() | IRG4BC10UDPBF | IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB | IRG4BC10UDPBF.pdf | |
![]() | AA0603FR-079K09L | RES SMD 9.09K OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-079K09L.pdf | |
![]() | RT0805CRE0782R5L | RES SMD 82.5 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0782R5L.pdf | |
![]() | LB01A | LB01A BZD SOP8 | LB01A.pdf | |
![]() | MC68160FP | MC68160FP MOTOROLA QFP | MC68160FP.pdf | |
![]() | OR3T306BA256 | OR3T306BA256 LATTICE BGA | OR3T306BA256.pdf | |
![]() | CD4050BMW/883C | CD4050BMW/883C NS SOP | CD4050BMW/883C.pdf | |
![]() | MDC5001T1/99 | MDC5001T1/99 ON SMD or Through Hole | MDC5001T1/99.pdf | |
![]() | R1122N171B | R1122N171B RICOH SOT-23-5 | R1122N171B.pdf | |
![]() | RN262G T2R | RN262G T2R ROHM SOD523 | RN262G T2R.pdf |