창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVB5404NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices Update 28/Jun/2011 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 32V | |
| 전력 - 최대 | 5.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVB5404NT4G | |
| 관련 링크 | NVB540, NVB5404NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PAT0805E1182BST1 | RES SMD 11.8K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1182BST1.pdf | |
![]() | RCP0505B100RGEC | RES SMD 100 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B100RGEC.pdf | |
![]() | T4-2-X65+ | T4-2-X65+ MINI SMD or Through Hole | T4-2-X65+.pdf | |
![]() | L78L05RCZ$R1 | L78L05RCZ$R1 ST DIP/SMD | L78L05RCZ$R1.pdf | |
![]() | 100ELT22MX | 100ELT22MX FAI SOP8 | 100ELT22MX.pdf | |
![]() | SS-44D03 | SS-44D03 DSL SMD or Through Hole | SS-44D03.pdf | |
![]() | 163088-1 | 163088-1 Tyco SMD or Through Hole | 163088-1.pdf | |
![]() | TG81-1006P | TG81-1006P HALO RJ45 | TG81-1006P.pdf | |
![]() | KA3854 | KA3854 SAMSUNG DIP | KA3854.pdf | |
![]() | GMBT3838 | GMBT3838 GTM SOT-23 | GMBT3838.pdf | |
![]() | MT28F008B3VG-10TET | MT28F008B3VG-10TET MT TSOP | MT28F008B3VG-10TET.pdf | |
![]() | 2SK208-O(TE85LF) | 2SK208-O(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK208-O(TE85LF).pdf |