창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NVB5404NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices Update 28/Jun/2011 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 32V | |
| 전력 - 최대 | 5.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NVB5404NT4G | |
| 관련 링크 | NVB540, NVB5404NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C0805X331K5RAC7800 | 330pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805X331K5RAC7800.pdf | |
![]() | 445I35H16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35H16M00000.pdf | |
![]() | NLV25T-101J-PF | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 60mA 21 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-101J-PF.pdf | |
![]() | EL3H4(A)(TA)-G | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP | EL3H4(A)(TA)-G.pdf | |
![]() | CW0105K000JE12 | RES 5K OHM 13W 5% AXIAL | CW0105K000JE12.pdf | |
![]() | 19532-001-U3I | 19532-001-U3I AMIS PLCC-84 | 19532-001-U3I.pdf | |
![]() | ES438799J | ES438799J AKI N A | ES438799J.pdf | |
![]() | LM2677S-50 | LM2677S-50 N/A NULL | LM2677S-50.pdf | |
![]() | RM2102B3BF | RM2102B3BF RAYDIUM SOT23-5 | RM2102B3BF.pdf | |
![]() | SI3441DV-TI | SI3441DV-TI SILICONIX SOT23-6 | SI3441DV-TI.pdf | |
![]() | LTOP27GN8 | LTOP27GN8 LT SMD or Through Hole | LTOP27GN8.pdf | |
![]() | HT82D22R | HT82D22R HOLTEK QFN | HT82D22R.pdf |