창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTZD3152PT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTZD3152P | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 430mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 430mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 175pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | NTZD3152PT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTZD3152PT1G | |
관련 링크 | NTZD315, NTZD3152PT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 04941.25NRHF | FUSE 1.25A 32V 0603 | 04941.25NRHF.pdf | |
![]() | SIT1602BI-83-33S-48.000000Y | OSC XO 3.3V 48MHZ ST | SIT1602BI-83-33S-48.000000Y.pdf | |
![]() | RMCF0603FT487R | RES SMD 487 OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT487R.pdf | |
![]() | AP4614 | AP4614 AP SOP | AP4614.pdf | |
![]() | EFM203-W | EFM203-W RECTRON DO-214AA | EFM203-W.pdf | |
![]() | 39VF800A7IEKD45 | 39VF800A7IEKD45 SST TSSOP | 39VF800A7IEKD45.pdf | |
![]() | J4101K1HY5PI5TDN | J4101K1HY5PI5TDN ZONKAS SMD or Through Hole | J4101K1HY5PI5TDN.pdf | |
![]() | LT3827EUH | LT3827EUH LT QFN | LT3827EUH.pdf | |
![]() | DAC1405D750HW/C1 | DAC1405D750HW/C1 NXP SMD or Through Hole | DAC1405D750HW/C1.pdf | |
![]() | AM29F200BB-20EI | AM29F200BB-20EI AMD TSOP | AM29F200BB-20EI.pdf | |
![]() | P82C42P | P82C42P INTEL DIP-40 | P82C42P.pdf | |
![]() | RN732ELTD15R0B25 | RN732ELTD15R0B25 KOA SMD | RN732ELTD15R0B25.pdf |