창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTR0202PLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTR0202PL1,3 | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 26/May/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 200mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 70pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 225mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTR0202PLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTR0202PLT1G | |
관련 링크 | NTR0202, NTR0202PLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | KTR18EZPF2610 | RES SMD 261 OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF2610.pdf | |
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![]() | RT1206BRD07107KL | RES SMD 107K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07107KL.pdf | |
![]() | CMF552K0000FKEK39 | RES 2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K0000FKEK39.pdf | |
![]() | JRC2137 | JRC2137 JRC SOP8 | JRC2137.pdf | |
![]() | CDCV857DGG | CDCV857DGG TIS Call | CDCV857DGG.pdf | |
![]() | 1n5248a | 1n5248a ORIGINAL SMD or Through Hole | 1n5248a.pdf | |
![]() | S817B15AMC-CWET2G | S817B15AMC-CWET2G ORIGINAL SMD or Through Hole | S817B15AMC-CWET2G.pdf | |
![]() | CA0015-NAT | CA0015-NAT CREATIVE QFP | CA0015-NAT.pdf | |
![]() | DS92LV3241TVS/NOPB | DS92LV3241TVS/NOPB NSC SMD or Through Hole | DS92LV3241TVS/NOPB.pdf | |
![]() | W190HB3171949FA | W190HB3171949FA ORIGINAL SMD or Through Hole | W190HB3171949FA.pdf | |
![]() | VY06329-4 | VY06329-4 ST QFP | VY06329-4.pdf |