창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMS4816NR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMS4816N | |
PCN 설계/사양 | NTMS48xxNR2G Copper Wire 29/Aug/2008 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1060pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 780mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTMS4816NR2G-ND NTMS4816NR2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMS4816NR2G | |
관련 링크 | NTMS481, NTMS4816NR2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 18123A103JAT2A | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 18123A103JAT2A.pdf | |
![]() | CM9900-683 | 68µH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 3.5A DCR 19 mOhm | CM9900-683.pdf | |
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![]() | MB90F583CAPF | MB90F583CAPF FUJITSU QFP-100 | MB90F583CAPF.pdf | |
![]() | IPP032N06N3 G | IPP032N06N3 G ORIGINAL TO-220 | IPP032N06N3 G.pdf | |
![]() | BK2125LL121-T 121-0805 | BK2125LL121-T 121-0805 TAIYO SMD or Through Hole | BK2125LL121-T 121-0805.pdf | |
![]() | P4SMA18CAAUTO | P4SMA18CAAUTO Littelfuse DO-214AC(SMA) | P4SMA18CAAUTO.pdf |