창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4931NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4931N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Ta), 246A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 128nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9821pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 950mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4931NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4931NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| LGY1J103MELC50 | 10000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 5000 Hrs @ 105°C | LGY1J103MELC50.pdf | ||
![]() | SMMUN2116LT3G | TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 | SMMUN2116LT3G.pdf | |
![]() | RT2010FKE07115RL | RES SMD 115 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE07115RL.pdf | |
![]() | REC5-2412SRW/H1/A | REC5-2412SRW/H1/A ORIGINAL SMD or Through Hole | REC5-2412SRW/H1/A.pdf | |
![]() | ML86V7655TBZ03A | ML86V7655TBZ03A oki QFP | ML86V7655TBZ03A.pdf | |
![]() | ATRAL400054 | ATRAL400054 ORIGINAL SOP | ATRAL400054.pdf | |
![]() | ACM3202DM | ACM3202DM ORIGINAL SOP8 | ACM3202DM.pdf | |
![]() | 8PD-S8-0016-02-258 | 8PD-S8-0016-02-258 PRECIDIP SMD or Through Hole | 8PD-S8-0016-02-258.pdf | |
![]() | K4S64162H-TC7000 | K4S64162H-TC7000 ORIGINAL QFP | K4S64162H-TC7000.pdf | |
![]() | RP56DR676463 | RP56DR676463 CON PQFP | RP56DR676463.pdf | |
![]() | 4116R-G90-221 | 4116R-G90-221 Delevan SMD or Through Hole | 4116R-G90-221.pdf | |
![]() | 2SD2167 T100P | 2SD2167 T100P ROHM SOT89 | 2SD2167 T100P.pdf |