창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMMUN2116LT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx | |
| PCN 설계/사양 | Pd-Coated Cu Wire Update 23/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 246mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMMUN2116LT3G | |
| 관련 링크 | SMMUN21, SMMUN2116LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EP5W10RJ | RES 10 OHM 5W 5% AXIAL | EP5W10RJ.pdf | |
![]() | Y00893K47300TR13L | RES 3.473K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00893K47300TR13L.pdf | |
![]() | TM25DZH | TM25DZH ORIGINAL SMD or Through Hole | TM25DZH.pdf | |
![]() | 2SC3734-T1B-A | 2SC3734-T1B-A TOSHIBA SOT23 | 2SC3734-T1B-A.pdf | |
![]() | HV5530DJ-G | HV5530DJ-G Supertex 44J-LEADQUADCERPA | HV5530DJ-G.pdf | |
![]() | TICAL16L8-55CJL | TICAL16L8-55CJL TI DIP | TICAL16L8-55CJL.pdf | |
![]() | ST7818C | ST7818C ST SOP | ST7818C.pdf | |
![]() | VRP2-50E1A0G(REV:A) | VRP2-50E1A0G(REV:A) beI SMD or Through Hole | VRP2-50E1A0G(REV:A).pdf | |
![]() | BZX384B56-GS08 | BZX384B56-GS08 VISHAY SOD323 | BZX384B56-GS08.pdf | |
![]() | LT1017CN8 PBF | LT1017CN8 PBF LTC SMD or Through Hole | LT1017CN8 PBF.pdf |