홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » NSVMUN5213DW1T3G

ON Semiconductor NSVMUN5213DW1T3G

NSVMUN5213DW1T3G
제조업체 부품 번호
NSVMUN5213DW1T3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSVMUN5213DW1T3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 102.45550
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSVMUN5213DW1T3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSVMUN5213DW1T3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSVMUN5213DW1T3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSVMUN5213DW1T3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSVMUN5213DW1T3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSVMUN5213DW1T3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN5213DW1, NSBC144EDxx
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
표준 포장 10,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSVMUN5213DW1T3G
관련 링크NSVMUN521, NSVMUN5213DW1T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSVMUN5213DW1T3G 의 관련 제품
Red 621nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial C5SMF-RJE-CT14QBB2.pdf
RES ARRAY 4 RES 120K OHM 1206 YC164-FR-07120KL.pdf
AAT4601IAS-B1 ANALOGIC SOP-8 AAT4601IAS-B1.pdf
BLM41AF800SN1B muRata SMD or Through Hole BLM41AF800SN1B.pdf
TMS320SP6713GDPD11-3BZ1128 TI BGA TMS320SP6713GDPD11-3BZ1128.pdf
13.560625MHZ NDK/EPSON SMD 13.560625MHZ.pdf
AD744KN/JN AD DIP AD744KN/JN.pdf
7B34-01-1 AD MODEL 7B34-01-1.pdf
MC79L18ACPX FSC TO-92 MC79L18ACPX.pdf
UN911BJ ROHM SS MINI UN911BJ.pdf
C056G109C2G5CA KEMET DIP C056G109C2G5CA.pdf
STF10N62K3, ST/ SMD or Through Hole STF10N62K3,.pdf