창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW23N80K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW23N80K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ K5 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-16331-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW23N80K5 | |
| 관련 링크 | STW23N, STW23N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 402F20012IKR | 20MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20012IKR.pdf | |
![]() | SA101C102KAC | SA101C102KAC avx SMD or Through Hole | SA101C102KAC.pdf | |
![]() | 46011B2C | 46011B2C ORIGINAL DFN10 | 46011B2C.pdf | |
![]() | AD842KQ/883 | AD842KQ/883 AD CDIP14 | AD842KQ/883.pdf | |
![]() | CL21C5R6CBNC | CL21C5R6CBNC SAMSUNG 0805-5R6C | CL21C5R6CBNC.pdf | |
![]() | TS80C51U2-L1B | TS80C51U2-L1B TEMIC PLCC | TS80C51U2-L1B.pdf | |
![]() | K02N60 | K02N60 ORIGINAL TO220 | K02N60.pdf | |
![]() | LCN0603T-39NK-S | LCN0603T-39NK-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LCN0603T-39NK-S.pdf | |
![]() | XC4VLX60FFG1148C | XC4VLX60FFG1148C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC4VLX60FFG1148C.pdf | |
![]() | CL0805Y104Z30ATC 0805-104Z | CL0805Y104Z30ATC 0805-104Z SAMSUNG SMD or Through Hole | CL0805Y104Z30ATC 0805-104Z.pdf | |
![]() | 1N4169 | 1N4169 ORIGINAL DIP | 1N4169.pdf | |
![]() | C5155C | C5155C CSC SMD or Through Hole | C5155C.pdf |