홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSS20201MR6T1G

ON Semiconductor NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G
제조업체 부품 번호
NSS20201MR6T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 20V 2A TSOP-6
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSS20201MR6T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 229.80667
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSS20201MR6T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSS20201MR6T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSS20201MR6T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSS20201MR6T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSS20201MR6T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSS20201MR6T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSS20201MR6T1G
PCN 설계/사양Copper Wire 08/Jun/2009
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)20V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 1A, 5V
전력 - 최대460mW
주파수 - 트랜지션200MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지6-TSOP
표준 포장 3,000
다른 이름NSS20201MR6T1G-ND
NSS20201MR6T1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSS20201MR6T1G
관련 링크NSS20201, NSS20201MR6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSS20201MR6T1G 의 관련 제품
RES SMD 93.1 OHM 0.5% 1/4W 1210 RT1210DRD0793R1L.pdf
Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads Cylinder, Threaded 59075-2-V-03-A.pdf
CY244ZXC-09A CYPRESS SMD or Through Hole CY244ZXC-09A.pdf
RS-05K100FT FENGHUA SMD or Through Hole RS-05K100FT.pdf
TAA680 ORIGINAL CAN8 TAA680.pdf
KD100GB40 SanRex SMD or Through Hole KD100GB40.pdf
TPSMB24AE352T VISHAY SMD TPSMB24AE352T.pdf
AN0110N TSC SMD or Through Hole AN0110N.pdf
VY8237R CD VIA BGA VY8237R CD.pdf
P480CH20C3D0 WESTCODE Module P480CH20C3D0.pdf
PSK-B73 PSK SMD or Through Hole PSK-B73.pdf