홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » NSBA123TF3T5G

ON Semiconductor NSBA123TF3T5G

NSBA123TF3T5G
제조업체 부품 번호
NSBA123TF3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBA123TF3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBA123TF3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBA123TF3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBA123TF3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBA123TF3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBA123TF3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBA123TF3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN2138/5138, DTA123T, NSBA123TF3
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대254mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-1123
공급 장치 패키지SOT-1123
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBA123TF3T5G
관련 링크NSBA123, NSBA123TF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBA123TF3T5G 의 관련 제품
47000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 16 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C SLPX473M010H5P3.pdf
8pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C901U809DYNDBAWL40.pdf
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC STS4DPF20L.pdf
CD5EC510J03 CDE SMD or Through Hole CD5EC510J03.pdf
PT78ST106S POWERTRENDS SMD or Through Hole PT78ST106S.pdf
315MXR330M30X35 RUBYCON DIP 315MXR330M30X35.pdf
T75L12 TI SOP8 T75L12.pdf
30-7200 BSC SMD or Through Hole 30-7200.pdf
F425 FAI NA F425.pdf
PLC16V8Z-35FA PHIL DIP PLC16V8Z-35FA.pdf
109.65MHZ(TS3-A9A0 TOYOCOM 5X7-6P 109.65MHZ(TS3-A9A0.pdf
105K63V ERO SMD or Through Hole 105K63V.pdf