Renesas Electronics America NP36P06KDG-E1-AY

NP36P06KDG-E1-AY
제조업체 부품 번호
NP36P06KDG-E1-AY
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
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내부 부품 번호EIS-NP36P06KDG-E1-AY
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NP36P06KDG
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C36A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs29.5m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs54nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
전력 - 최대1.8W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263
표준 포장 800
다른 이름NP36P06KDG-E1-AY-ND
NP36P06KDG-E1-AYTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NP36P06KDG-E1-AY
관련 링크NP36P06KD, NP36P06KDG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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